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PECS II 精密离子减薄系统
精密离子减薄仪用于高质量透射电镜样品制备，它可精准定位减薄位置并对工艺参数进行精准控制，利用宽幅氩离子束对样品进行抛光和镀膜处理，从而得到高质量的SEM成像和分析结果。
精密离子减薄仪 PIPS II
型号 695
一代PIPS离子减薄系统树立了透射电镜（TEM）制样的行业标准已超20年，而全新一代精密离子减薄仪(PIPS™) II基于一代PIPS有了全新的升级。
PIPS II能对减薄样品进行精准定位。10英寸触摸屏简单易用，提高对减薄区域的精度控制和减薄过程的可重复性。
配备的数码变焦显微镜系统可以实时监测减薄过程，同时可将获取的彩色图像存储于DM软件中，用于与样品在TEM中成像对比。
性能优点
• 系统及X-Y可调样品台：使用样品台来把减薄区域精准定位到离子束交叉点
• 低能量聚焦离子枪：改进低电压性能的离子枪，有用电压低至 100 伏，从而快速安全地对 FIB 制备的TEM样品进行抛光
• 能量从 0.1 keV到 8 keV可调 : 低能范围的性能提升可以减少非晶层
• 液氮冷台：消除热效应产生的样品损伤
• 10英寸彩色触摸屏控制：简单易用的控制图形用户界面，可用于显示和控制所有 PIPS
II 参数
• 数码变焦显微镜系统：实时监测减薄过程
• DigitalMicrograph软件存储彩色图像：可以使用同TEM和EELS数据相同的软件和光学数码显微镜进行图像存储和分析
应用
• 半导体
• 金属（氧化物，合金）
• 陶瓷
图1. 平面硅110样本，PIPS II 制备， 图2.含1 – 3% wt Ga 的快淬AlPb薄带，使用 TEAM 0.5 进行
zui终抛光参数：300 V, 4 min. HR-STEM 成像
技术规格
| 离子源 | |
| 离子枪 | 两个配有低能聚焦能力电极的潘宁离子枪 |
| 抛光角度（°） | +10 到 -10 每支离子枪可独立调节 |
| 离子束能量 (kV) | 0.1 – 8.0 |
| 离子束流密度峰值 (mA/cm2) | 10 |
| 射束校准 | 使用荧光屏的精密光束校准 |
| 离子束直径 | 可用气体流量计或放电电压来调节 |
| 样品台 | |
| 样品尺寸（mm） | 3 或者 2.3 |
样品夹持 标准 可选 | 石墨台 |
| 转速 (rpm) | 1 – 6 |
| 离子束调制 | 角度范围可调的单向调制或双向调制 |
| X, Y 方向平移 (mm) | ±0.5 |
样品观察 Option 1 Option 2 | 双目显微镜 数码变焦显微镜及 DM 软件存储（选配） |
| 真空系统 | |
| 干泵系统 | 80 L/s 的涡轮分子泵，具备两级隔膜前级泵 |
压力 (torr) 基本压力 工作压力 | 5 x 10-6 8 x 10-5 |
| 真空规 | 冷阴极型，用于主样品室；固体型，用 于 前级机械泵 |
样品气锁 | 样品交换时间小于1 分钟 |
| 用户界面 | |
10 英寸彩色触摸屏 | 操作简单，可用于显示和控制所有 PIPS |
| 尺寸及使用要求 | |
| 外形尺寸 (长 x 宽 x 高, mm) | 547 x 495 x 615 |
| 运输重量 (kg) | 45 |
功耗 (W) 运行时 待机时 | 200 100 |
电源要求 | 通用100/240 VAC, 50/60 Hz（用户指定电压和频率） |
| 氩气 (psi) | 25 |
| 注：以上技术规格如有变化将不另行通知。 | |
订购型号
| 型号 | 规格描述 |
| 695 Basic | PIPS II 系统 |
| 695 Cool | PIPS II 系统，包含冷台 |
695 Plus | PIPS II 系统,不含冷台，包含配备 DM 的数码变焦显微镜 |
695 Pro | PIPS II Pro 系统,含冷台以及配备 DM 的数码变焦显微镜 |
695 Advantage | PIPS II Advantage 系统,含PIPS II Pro+马达驱动离子枪 |
| 注：关于配件和耗材的详细情况，请咨询我公司销售。 | |
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